项目名称：第三代半导体深紫外线LED芯片外延生产项目            

投 资 方：深圳佑荟半导体有限公司            

签约时间：2017年2月13日            

开发建设目标：凭借企业在产品研发、技术、管理和资本运营等方面的优势，以一流的技术水准建设第三代半导体深紫外线LED芯片外延研发生产项目，预计五年内产能达到3万片深紫外线LED芯片外延，年产值预计可达到20亿元。第三代半导体深紫外线LED芯片外延技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地。半导体LED照明是第三代半导体技术所实现的第一个突破口，目前已发展LED发光新技术领域，开拓在生物、农业、医疗、保健、航空、航天和通信等领域应用。            

建设内容及规模：建设深紫外线LED芯片生产线10条，2017年入驻总面积约15000平方米的独栋标准化厂房，2018年预计实现产值4亿元。预计五年内产能达到3万片深紫外线LED芯片外延，年产值预计可达到20亿元。            

概算总投资（万元）：26000            

项目进展情况：该项目已经完成与腾冲边合区资本运营公司成立合资公司的登记注册工作，正在进行厂房的装修及其他配套设施建设。